رم RRAM نسل نوینی که می تواند به افزایش کارآمدی پردازنده های ۳D شود
چند سال پیش زمانی که توسط مهندسین استنفورد، حافظه با دسترسی تصادفی مقاومتی (RRAM) که نوع در حال ظهوری از حافظه کامپیوتر بر اساس ماده نیمه هادی جدیدی است که با توجه به درجه حرارت و ولتاژ برای ذخیره داده ها استفاده می کند معرفی شد، کسی فکر نمی کرد که این رم با چنین کارکردی بتواند سریع ترین رم برای تکنولوژی های فعلی باشد.
تراشه های کامپیوتری برای اجرای برنامه های نرم افزاری و نمایش این پردازش ها بر روی صفحه نمایش نیاز به ارتباط دو بعدی بین پردازنده و حافظه رم از طریق گذرگاهی دو سویه است که معمولاً سرعت انتقال داده ها در این درگاه ها به علت گرما پایین می آید، که همین علت اصلی کندی در پردازش های سنگین می باشد.
اما RRAM به واسطه نیمه هادی که از آن ساخته شده است، می تواند گرمای بالا را تحمل کند، بنابراین می توان از این رم در ساختار پردازنده های اصلی استفاده کرد تا به این ترتیب درگاه ها که پل ارتباطی رم و پردازنده هستند و علت اصلی کندی پردازش می باشند از بین بروند، تا شاهد پردازنده هایی باشیم که بتوانند پردازش های سنگین را با بالاترین سرعت اجرا کنند. بیشترین مصارف این پردازنده ها می تواند در تولید پردازنده های گرافیک سه بعدی باشد.
یکی دیگر از قابلیت های این تراشه ها پایین آوردن مصرف انرژی و کوچک کردن برد ها می شود که می توان شاهد حضور دستگاه هایی ازجمله گوشی های هوشمند کوچکتر باشیم.
در نمونه آزمایشی که از این تراشه در دماهای مختلف آزمون بعمل آمد مشخص شد بهترین دمای کاری برای این پردازنده بین ۲۶٫۷ الی ۱۲۶٫۷ درجه سانتی گراد است که در این دما پایین ترین میزان مصرف انرژی با بالاترین کارایی را نشان داد.
منبع: دانشگاه استنفورد
