تولید انبوه دومین نسل DRAM با فناوری ۱۰nm توسط سامسونگ
کسب و کار نیمه هادی سامسونگ که شامل SSD ها، پردازنده های تلفن همراه، DRAM ها و سنسورهای تصویر می شود دارای رونق خوب و از نوآوری بالایی برخوردار است و به نظر می رسد که این روند در آینده نزدیک تغییری نخواهد داشت زیرا سامسونگ تلاش هایش را در این زمینه افزایش داده است.
اما پس از تولید اولین محصول DRAM مبتنی بر فناوری ۱۰nm که در ماه فوریه سال ۲۰۱۶ توسط سامسونگ انجام شد، امروز تولید انبوه نسل دوم DRAM هایی که از فناوری ۱۰ نانومتر استفاده می کند در سامسونگ اجرایی شد و رم های ۸Gb DDR4 با این فناوری به زودی وارد بازار می شوند. سامسونگ میگوید که ۸Gb DDR4 جدیدی که تولید کرده است دارای بالاترین عملکرد، بهره وری انرژی و کوچکترین ابعاد یک تراشه ۸ گیگابایتی DRAM است که تا کنون ساخته شده است. این تراشه ها در طیف گسترده ای از سیستم های محاسباتی نسل بعدی پردازنده ها هم مورد استفاده قرار می گیرند.
طبق گفته سامسونگ، DRAM جدید حدود ۳۰ درصد افزایش بهره وری، بهبود ۱۰ درصدی در عملکرد و ۱۵ درصدی در بهره وری انرژی را نشان می دهد. سامسونگ این پیشرفت ها را به خاطر “استفاده از تکنولوژی پیشرفته، طراحی مدار اختصاصی” خود می داند.
سامسونگ همچنین می گوید که آخرین مدل های DDR4 که با برد ۱۰ نانومتری تولید شده مورد تایید کنندگان پردازنده بوده و قصد دارد تا با OEM ها همکاری کند تا آنها را به بازار عرضه کنند.
استفاده از این رم ها همچنین در کارت های گرافیک می تواند منجر به افزایش توان و کارایی در پردازش و نمایش تصاویر شود.